APEC: SiC моќ и напредни алатки за облак

Можностите за пребарување се подобрени и има мени во стилот на рингишпил што ви овозможува да изберете компатибилни уреди и табли, велат од компанијата: „Инженерите можат да ги намалат опциите за остварливи компоненти и системски решенија и да имаат доверба во перформансите на системот пред да започнат хардверски пребарувања и комплетирање на нивните дизајни "

Демонстрациите во APEC вклучуваат трифазен силициум карбид (SiC) PFC (корекција на факторот на моќност) од 11 kV (100 kHz) изграден околу Mosfet Onh ​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, >30A, ~80 mOhm) и TO4 Двигател на портата NCP51705 - кој вклучува пумпа за полнење за да создаде негативна пристрасност што го исклучува SiC Mosfet.

На подот eFuse

Исто така, ќе бидат прикажани eFuse, „интелигентни пасивни сензори“ за индустриска автоматизација, решение USB-PD (испорака на енергија) со висока густина, активна јамка за повратни информации за стегачот и модули за напојување на двигателот на моторот.

За промовирање на Strata, ќе биде претставен труд со амбициозен наслов „Задоволување на листата на желби на дизајнерот под притисок со сите алатки што ви се потребни во една кутија со алатки“ (19 март, 13:30 часот, соба 303AB).

Друга презентација: „Карактеристики, сигурност и излез во модерното